n沟道mos晶体管的导通条件
开启时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，有不同的等效电路。
1)t0-t1:cgs1开始充电，栅极电压尚未达到vgs(th)，导电沟道尚未形成，mosfet仍处于截止状态。
2)在区间[t1-t2]内，gs之间的电压达到vgs(th)，ds之间的导电通道开始形成，mosfet导通，ds的电流增加到id，cgs2快速充电，vgs从vgs(th)到va呈指数增加..
3)在[t2-t3]期间，mosfet的ds电压下降到与vgs相同，产生密勒效应，cgd电容大大增加，栅极电流继续流动。由于cgd电容的急剧增加，栅极电压对cgs的充电被抑制，这使得vgs几乎水平，cgd电容上的电压增加，而ds电容上的电压继续降低。
4)【t3-t4】区间，直到t3，mosfet的ds电压下降到饱和导通时的电压，密勒效应的影响变小，cgd电容变小，与cgs电容一起被外部驱动电压充电，cgs电容电压上升直到t4。此时cgs电容的电压已经达到稳态，ds之间的电压达到最小值，mosf
mos管mos耐压/mos内阻的最大持续电流。
额定电流应该是负载在所有条件下所能承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生峰值电流，也要确保所选mos晶体管能够承受这个额定电流。考虑的两种电流条件是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，mos晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
大约在0.306伏和0.23伏之间
一般mos管的饱和电压是10v，有的是3-5v。同一个mos管通过不同的电流，其栅极电压是不同的。mos管的极间电容比较大。为了使mos管开关速度快，降低功耗，需要对栅极进行快速充放电，驱动电路就是为此而使用的。双极晶体管的极间电容不大，不需要类似的驱动电路。
mos管的参数并不直接给出管压降，而是给出导通电阻rds(on)。si2301在dd3.6a时的导通电阻为85mω，在id2a时的导通电阻为115mω，因此可以计算出其在3.6a和2a时的管压降分别为0.306v和0.23v。
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